IBM内存大多由其它专业
内存厂代工,但标准由
IBM 定制,所有被认证的
内存条上除了原厂LOGO 还有
IBM LOGO.
7 r) [% c c/ l' N7 x4 H
& Z9 j; s$ g" z% ]+ z
可以说有IBM LOGO 的内存就代表高品质,一些标识PC 66MHZ板载内存能顺利超频到100MHZ,因为有的内存
芯片本身就是采用100MHZ颗粒,不过降频使用.从这点上不难看出IBM
机器为何
价格昂贵,为何TP 600E P2 366 效能要超过一些
品牌的P3
机器.
$ K* J( A0 {! u0 T. G# ~7 P
: d. ?. Y H7 C4 h; K- q所以市场上IBM 认证的PC 100 128M内存也要高出别的品牌内存20-30元,目前价格在100元
3 D7 }0 H" w4 U$ ~. c! G
7 |- S8 F$ y9 w% C, I7 D
* Y I6 R( W4 W# ^9 V
5 l- d, q: o- S0 b% T
. j9 z/ T: V& P5 Q( P0 j3 v. I9 `
" X' ?. S1 i$ f& n) p9 M$ r6 ?- ZIBM订购的内存有以下几个品牌：
# C# _) ^5 ]% i/ Y1 Y2 _3 x
3 F* O f) ?5 O5 u' b/ O9 ~5 r
英文名：MICRON； 中文名：美光 ：MT；
' m. b/ e/ S9 ~7 |8 }! d
. x3 I1 w( M( t5 H* K3 z4 i
英文名：Infineon；中文名：英飞凌 简称：英飞凌；
" ]5 W. p, ]7 g( ]
: \: e8 t0 m1 l; {2 F8 T
英文名：HYNIX 中文名：现代 简称：HY；
% k, M' c8 y; t: y& w
/ R8 j8 Y0 \4 S
英文名：PROMOS； 中文名： 简称：PROMOS；
! n2 `' y+ O* j4 y! J
1 O9 O% N/ w( X% P' Z5 t
英文名：NANYA； 中文名：南亚 简称：NANYA；
5 l+ z( W( ~" T' x( Z$ N& x8 W! y/ _& ^: W6 `2 Z9 w
英文名：ELPIDA； 中文名：尔必达 简称：尔必达；
8 F7 W3 \4 o7 `
. D) {; x1 Y7 k
英文名：SAMSUNG； 中文名：三 星 简称：
三星；
" y8 k, H& T F1 n/ g0 e, H. Q
9 ?# i: y/ e, l8 {以下是找到关于内存芯片的
数据资料,大家可以对照看看自己本本用的是否为100MHZ的芯片
8 O& D0 }1 X) O/ i' L
4 H9 y8 {5 a# P6 s( _9 e8 Z& y; d三星(Samsung)SDRAM内存
" ]1 s4 J6 g6 e: B
0 f7 b$ w& s4 N2 S7 N" U
M A BB C DD E F G H I – J KK
3 e$ P! v0 P9 v8 J" B- M1 u; d L' Q1 U! p% D
/ Q7 e4 ~! H1 Y2 U! v/ x7 u第1字段由K,km组成， 代表Samsung Memory（M）（三星存储器）
; _% t' p) v: h
$ d+ g; C# h9 G% [, b0 K
第2字段 DI我妈 Configuration（DI我妈结构）3 : DI我妈 4 : SODI我妈
3 R4 W+ Z2 v3 _
: u6 E# [) T6 g2 ?0 E6 P第3字段代表Data Bit（数据位），4代表4位；8代表8位；16代表16位,32 32bit 。
) [, M* m. b* U
2 ?* K+ ]- R9 ^
第4字段代表内存种类Feature（特征） S: SDRAM
) d! h( x! ^' b- D
+ K. G5 @5 s) q9 q$ t第5字段代表Depth（深度）04: 4M 08: 8M 16: 16M 32: 32M
4 H+ K, W6 ~+ ~1 O
" X; i+ e% y( W5 |. K" x' v第6字段代表Refresh, # of Banks in Comp. & Interface（刷新，Banks的结构和界面）
0 M$ e i5 K! I5 ~( R
) B3 }2 y" X7 n" h8 k9 ~4 F _
0 : 4K/64ms Refresh, 2 Banks & LVTTL
" v r7 `% [+ `1 R2 `) `$ J3 C0 f
2 y, z* j6 l0 y: f/ U! C1 : 2K/32ms Refresh, 2 Banks & LVTTL
~1 a* K2 G+ X9 ?: n }
4 Z) l6 U1 z9 i" m; \; a4 d
2 : 4K/64ms Refresh, 4 Banks & LVTTL
) Q6 o+ n; b, L; M0 ]8 E
$ j2 H% W5 G$ r) R) u5 : 8K/64ms Refresh, 4 Banks & LVTTL
! Z* z* Y. J; e' j, F' Z& a6 ]
0 h: q5 d e! M" B* u( i0 ?: J! o1 {. L1 |, C1 u
- \# s( C+ J' q6 `; V3 [第7字段代表Composition Component（成分结构）
A( W/ d3 E7 N* C$ t% m
+ p" y, r) S* E$ Q/ z0: x4
4 Z( w9 ~$ S$ ~2 _! @
; M/ X/ `* s: B4 v7 a, l3: x8
/ D9 u6 r% b; b# K+ Q& O, a2 R
. @& d5 d9 Q" u" {# q% b: V4: x16
* X* V3 F1 {; t: Q, j3 x9 A. M
# ]( ?/ M7 Z4 }! c. r- p- ~, g5: x32
5 h- B( B$ Q& s O5 W5 Y
2 \: L& B0 x# K. J
6: x16+x32
# Q$ V4 }/ P$ _
, I: G3 U1 O9 C) [/ j( C
7: x4 Stack
" I) Z; p5 A5 X# O4 v
! y9 I& Z8 N; ]! I0 }. c* u2代表2Bank；3代表4Bank。
) S0 b% _) d8 x7 A. k+ l6 ?
/ ]! l! Y" d9 g第8字段代表版本号，
^3 z- d9 J" u$ w! G" u' ~4 p8 b& F5 {
8：Component Revision（结构修正版本）
! z3 s4 q# G" e2 P8 H! x
, J: M& @/ ^+ cM: 1st Gen.
4 J2 S- `* i& D! ~% w
7 m% A, g0 \( Y8 ?& ^' @# h
A: 2nd Gen.
# r8 w* \) ? q# G
' G/ ~1 K* Z( ?3 b* m1 @B: 3rd Gen
2 E1 |1 y ^8 b- a' C
3 `& d2 n8 z4 w+ J' Q8 v. TC: 4th Gen 空白代表第1版；A代表第2版；B代表第3版。
s" L% O( P9 i5 ~+ @7 G
$ M' p l, p- k6 E第9字段代表Package （封装）
% q2 M( f1 g$ y+ C* Q2 C+ I
8 C8 Z8 C1 y m1 @' B% a; L
T: TSOP2-400
9 M3 Z2 H7 M; C& n' J+ }- e- b* ^. W$ p
N: STSOP2-400
* t' R5 m; [8 J
) V2 [* J/ V5 N$ v7 B: pG: UBGA
( ^- ]9 F# T8 c/ Y; w1 e; d
( q5 a; R- S+ `' m10：PCB Revision & Type（PCB板修正版本和类型）
% |; V n- k9 E
0 P& z7 I* r4 y9 _' F y" ^* _9 i0: None
6 q4 K' }- R$ I a3 c
D4 i9 `8 `+ f- H: _: O
1: 1st Rev
* y8 q; A; ^0 {- r X: J
2 v2 I4 x# @- _2: 2nd Rev
0 ~4 x; k7 i/ w: C! h1 V: h* d, b+ t. E8 z7 ~; r/ b5 u
3: 3rd Rev
1 } P" Q4 ?0 |! N. i% h8 c/ ?! I' g
6 o5 ?4 X2 `; g- j2 }; B; }" OL: PC66
. ]6 @ z% f$ k9 ] \$ g
4 }9 Q# m8 P" q9 W
% F& n$ M* ]% x. c( l8 _
5 s3 Z% ^, f4 r; r" ?
& j, b# {0 @& C7 }) I- Q) @第11字段Power（功率）
& ?9 I# c+ C/ b9 y* a5 {- l0 f U
C: Auto & Self refresh
( D9 K3 Q9 o& r1 x+ J
0 h! g2 a: y( C( IL: Auto & Self refresh with Low power
4 E; g" t7 f7 i0 f
, `- s% r& A2 @& qG代表自动调节，F代表自动调节低功耗。
4 j/ \) h1 a) z# h3 H% ]# v5 l) S& B6 g4 J4 v' Z
第12字段代表内存Speed（速度）
7 g3 @/ t1 B, Z5 Z2 U' Y
4 j9 U: _& N: o1 d4 ^2 w3 k10: 10 ns PC66
+ W$ D' N8 `6 ]+ G/ Q
3 E+ P3 w# M+ ~0 H- z, t1L: 10 ns PC100
; l/ q% A& K! E. v4 t* u5 y
5 [0 D; B6 S9 t2 t! {2 G1H: 10 ns @CL2 PC100
% n$ L4 o9 w! i* W/ u( C: y% m5 ?2 P9 o# k$ e
70: 7 ns
6 e/ f0 @: ?. W3 h& `( L' v1 i$ v
$ z2 }" A# i. L3 x- t# J75: 7.5 ns
7 W, i$ R; j: K; v6 |
( ~8 ^4 @7 u. N( A: O/ m- c80: 8 ns7代表7ns(143MHz)；8代表8ns(125MHz)；10代表10ns(100MHz)；H代表100MHz@CL=2；L代表100MHz@CL=3。
, L6 s) k! L# O& z% \! @! g: k
$ C/ s$ H0 y1 D: M z. U& a# P9 N
8 a2 a' [! F8 ` s
2 A; i: K D) w( O
( `& y0 p" R/ F! [4 E+ z6 ]# o内存颗粒编号的识别之-日立
2 j) k6 [; o$ p+ K( J! N/ U0 F2 k-------------------------------------------------------------------------------
1 a% ]# z) b' L, H
/ m Z% k' R! r: a5 K第1字段由HM组成，代表日立产品。
0 T& G4 e9 I0 V% n0 Q: X6 e1 a5 [3 M! C9 E
第2字段代表内存种类，51代表EDO；52代表SDRAM；54代表DDR SDRAM。
( b5 Q, A) I% E2 V) X
6 E2 P# N9 @" S9 Y) t+ F第3字段代表密度，64代表64MB；12代表128MB；25代表256MB；51代表512MB。
$ l, ~2 W8 p" R3 A: a$ w
9 N" B. ~! y, O _# V/ D7 j; B- M2 J第4字段代表结构，405代表x4；805代表x8；165代表x16；325代表x32。
: G f( @# s0 X1 P! o8 V/ {( J- m$ l$ I( J& N5 n3 o
第5字段代表芯片修正版本，A代表A修正版；B代表B修正版；C代表C修正版。
+ S# n# R* g5 j3 l8 e2 k( {
$ T, Y7 W2 Q4 H! m, O2 B% R
第6字段代表封装方式，TT代表TSOP；TD代表DDP(Double-DensityPackage)。
! n. v- k" E2 V. ?0 ^) k2 {
! w! E5 x/ x* t. H8 {第7字段代表内存的速度，A60代表10ns(100MHz@CL为2&3)；B60代表10ns(100MHz@CL=3)；75代表7.5ns(133MHz)；80代表8ns(125MHz)。
! F# C6 X# g2 m# T9 ^( w! h$ O6 q# ?9 |$ N, H7 m
0 [% S; l, X3 Y$ {( j内存颗粒编号的识别之-英飞凌(Infineon)
' h( ?2 _, r+ L7 s# z, U--------------------------------------------------------------------------------
5 J7 A8 D) |) n9 z7 o) e7 _8 p T" U- O3 K
" ^! h4 N N! y- a1 K6 X) i# \+ i" b1 Q( O% k. q9 G
第1字段由HYB组成，代表西门子产品。
, ^" Q2 i; D1 g# @# C. D) @7 j9 T \0 F5 P& S O0 f5 {
第2字段代表内存的种类，39S代表SDRAM。
# r2 M, \. N2 r% B! ?
: A: r" Z4 n, v. P
第3字段代表内存的容量。
* h$ n# h6 U# n% w D% ^! ~
" J/ g7 M6 q5 ^& {3 ]2 m第4字段代表数据带宽，40代表4位；80代表8位；16代表16位。
' Y" j# e! M0 h
$ M( F. b# ]& K第5字段代表的意义不详，一般为0。
- r7 i/ |: w C% A2 a
4 y2 ?' ~: n2 ]! b9 p+ S' m
第6字段代表产品系列。
' _) J1 B+ C9 P5 V' y% G, C& E" J2 T _
. _$ s0 V7 W x/ L6 {3 X( F
第7字段代表封装方式，T代表TSOP封装。
l1 O. J* |: S5 q8 t0 t
( ]6 A$ P) H, I5 L' y; N
第8字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
7 Q' p$ y5 \! k0 k% `
; E, f$ C+ ^, y- y第9字段代表内存的速度，6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz@CL=2)；8B代表10ns(100MHz@CL=3)；10代表10ns(100MHz)。
: c* D: @3 y& G$ W6 ]! Y5 H$ |( y( a# W+ u Q
9 d' X( @' r; R s1 i% L. ~4 h ]
" U1 f9 N. F3 \& K! ]( ?
内存颗粒编号的识别之-
富士通(FUJITSU)SDRAM内存
- G8 A* G8 K4 `, y- K+ v' @) G) [
--------------------------------------------------------------------------------
( y$ w a) I% ` t- x9 |
" y" f. @& H2 G6 o% U2 L( Y+ P8 \( p' i0 b" m; U( M
8 V- A ?% X1 Y# a5 J5 U& V! n第1字段由MB81组成，代表富士通的SDRAM产品。
) r3 d7 i& B" g' C" p- J
5 k) m) d& Y7 o" S3 B
第2字段代表内存的种类，F代表PC100；1代表普通内存。
2 w( J' h# T5 `
0 _6 k! O/ ~2 C* ~- F第3字段代表容量。
) u* Q+ z1 t m. z$ B0 f
( o; t; p" w! r( F第4字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。
& d" W& e, |8 p8 M4 a* ~8 H* _# U! s3 B' L( W
第5字段代表芯片的组成，22代表2BANK；42代表4BANK。
' F$ ?, V9 _' @+ ]$ H
4 f4 ^& B! k2 E2 f, k6 {: v0 Y第6字段代表产品系列。
; k0 n7 T0 ^* r* o% F& }" V+ \9 a7 l4 p
第7字段代表内存的速度，60代表6ns；70代表7ns；80代表8ns；102代表10ns(CL=2或3)；103代表10ns(CL=3)；100代表10ns；84代表12ns；67代表15ns。
, Q/ f$ {; E; d7 I* i+ \+ ^. x$ z
6 y) K4 z' ~6 y4 o2 |* e4 {5 q
8 H6 e- W6 ?' E$ B. \: v
3 u2 M: l( I0 x, d3 O% W内存颗粒编号的识别之-东芝(TOSHIBA)SDRAM内存
( l6 i- {! ]6 m7 w* U
--------------------------------------------------------------------------------
: t" d0 J+ G. V2 \2 C( Y0 J! o6 t
3 k7 h' X3 C8 D' Q$ Q第1字段由TC组成，代表东芝产品。
: X# p* ~; G7 g7 z/ l
" j i: [/ V" G5 R* \+ ]0 p
第2字段代表内存种类，59S代表SDRAM。
2 e9 {) i$ [3 b/ T5 k) t7 ?5 n0 ~) n7 n
4 a" c1 P% U' Q% l第3字段代表容量，64代表64MB；128代表128MB。
9 s k7 ?1 M! O
2 D" R. U8 q& n* Z, I, S第4字段代表数据带宽，04代表4位；08代表8位；16代表16位；32代表32位。
, b+ O/ U# m7 h! s, n8 ?+ [7 H( X$ R$ D" R
第5字段代表产品系列，比较常见的有A系列和B系列产品。
5 Q' R; M" t7 Z6 z' G, l
) `; D+ Y8 w. v* z. I+ v( V' F第6字段代表封装方式，FT代表TSOP。
+ ~ l+ r/ b+ f0 i: P) E7 u
( U- x9 x e5 w9 t1 w% o% I2 y第7字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
4 l ]4 j$ J! U$ [' b; O# G7 d5 t& i R# L' r6 U8 |; I; ?$ z3 z
第8字段代表内存的速度，60代表6ns；70代表7ns；80代表8ns；102代表10ns(CL=2或3)；103代表10ns(CL=3)；100代表10ns；84代表12ns；67代表15ns。
5 _- j7 p+ P% e! F" {
* X' e0 L+ G4 A$ A* d
( c/ Z% i! k7 A% E, h
C( r( q1 j) T: P4 A; G9 _. S* b7 z. A
内存颗粒编号的识别之-三菱(MITSUBISHI)SDRAM
3 T8 I a' Z' y* m6 K
--------------------------------------------------------------------------------
& t! C- Y5 a0 k0 ~
7 U% t5 Z B# v8 `( e; F" `6 I2 z
( x+ X7 l7 l4 _/ g( P0 j. h. w5 Q# ~! t" ~1 P( ^9 o& c
B0 C# K# v$ |
第1字段由M2组成，代表三菱产品。
9 Q7 |$ K/ O: }' e$ X, N( L
) ]" ^+ K3 U A+ i. m3 X& \( p2 Q
第2字段由代表I/O界面，一个字符组成，一般为V。
% W* l9 w. u6 L* Y; p& k3 y
9 I h' G: a& q- t第3字段代表容量，如16代表16MB。
: I! {8 D# a* o4 L( ~
& O, O9 K5 j F! ?5 W. R4 W第4字段代表内存类型，S代表SDRAM。
* T( s1 ]3 d* ?$ O1 @4 b/ u
: U* t. R; h! {' G
第5字段代表数据带宽，2代表4位；3代表8位；4代表16位。
+ h( f# |" k2 H' r0 ]) z$ ]! P
s1 m% Q8 J0 S- a7 a7 P/ Q第6字段代表意义不详，一般为0。
+ I* x! t3 ]- H' ]
" a1 t$ O# w7 `: i- N! R x
第7字段代表产品系列。
* Y9 Q8 V* T5 c8 R' N' u$ a# h/ `6 X- C8 n9 E, m
第8字段代表封装类型，TP代表TSOP封装。
" R4 O* g( x& U! t4 |7 E$ t1 c
6 _* e; u3 x/ L* W. r3 I第9字段代表内存的速度，8A代表8ns；7代表10ns(CL=2或3)；8代表10ns(CL=3)；10代表10ns。
# u( Z x3 n8 e7 y* O
- w( ~( X0 u. Q5 d( O( D- K第10字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
) k" i# [9 t; h5 N/ v9 X! ^) S
& ~: A: u) e8 }! M: f' W7 d6 y( i4 r3 e
内存颗粒编号的识别之-LGs SDRAM内存
; @% [6 Z9 [. {$ @5 N7 y--------------------------------------------------------------------------------
: i1 |7 X' ^8 a9 O+ M j6 h. G% _
% ~! @3 L: e& ^5 q# H$ N- O' x4 S: X0 g! g S
2 ?8 l8 c1 u1 l# v% t6 e
& I6 u) ?4 C% S. _3 @第1字段由GM组成，代表LGs公司的产品。
% y: f9 h* F! I4 i
: y! S X- i: Z第2字段代表产品类型，72代表SDRAM。
6 z2 Y( N* o; H5 v5 Z, Y J
7 m/ R4 w0 i5 N* U4 r第3字段代表电压，V代表3V。
# x' D9 c, i9 I6 ^+ \0 Q+ L+ }4 s
& y1 M8 K7 r5 k0 F0 T4 t
第4字段代表内存单位容量和刷新单位，16代表16M(4K刷新)；17代表16M(2K刷新)；28代表128M(4K刷新)；64代表64M(16K刷新)；65代表64M(8K刷新)；66代表64M(4K刷新)。
( z+ t$ \- h& E( Z6 ~1 P' i% u2 a" I3 f
X; p, j# w7 A% \
第5字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。
; | l P N" X/ M- [
9 ?# [" j" ~3 w0 Q: j第6字段代表芯片组成，1代表1BANK；2代表2BANK；4代表4BANK；8代表8BANK。
4 B& ]& m5 h, v8 D. Q* c
4 e# z8 W+ e6 o) u+ R; ?4 J第7字段代表电气接口，1代表LVTTL。
- h; { A8 D4 a% r, C' u4 F0 f8 P: v9 U- J" x
第8字段代表芯片的修正版本，A代表第1版；B代表第2版，依此类推。
3 F9 T( n+ a, d3 ?" s$ a
0 [" Y; E' E9 Q" z7 O3 d; f/ {第9字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
" ]8 F. }5 ?; N/ d: e: l. b
) O7 X5 m2 h9 M5 Z* j+ B* V7 B7 J
第10字段代表封装方式，T代表TSOP；R代表TSOPⅡ；I代表BLP；S代表STACK。
) U8 i# {) k4 G: j1 s9 l7 w/ K
M) `; Y# E) \0 }7 Q. m第11字段代表内存的速度，6代表6ns(166MHz)；65代表6.5ns(153MHz)；7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz)；7K代表10ns(PC100 @222)；7J代表10ns(PC100@322)；10K代表10ns(PC66)；10J代表10ns(PC66)；12代表12ns(83MHz)；15代表15ns(66MHz)。
! V3 V2 c+ C9 K$ H2 q$ v& p4 n# \7 t( p& D9 M8 U
$ Q6 \6 g: x7 _
9 M( s3 x0 U7 W' X* a/ F2 J
& l& T6 w. D% `8 i' T" V
; m& L# n. l z内存颗粒编号的识别之-现代(Hyundai)
7 L7 o. f; w5 j1 g9 {4 T
--------------------------------------------------------------------------------
( f& p" j0 N8 k+ @
6 T; ~9 V4 q, _" l" a
8 F7 Y" l, y* P. \0 h* I( ^
* E/ Z$ C# U/ n( e3 V* M: ]. b Q
1.SDRAM内存(老版本)
* ~, p$ v$ M' d) M3 I! R
2 f1 w6 t4 y2 [第1字段由HY组成，代表现代产品。
; g O$ D& j3 G$ d
! ^5 \1 `+ [+ Z- c- a l G$ r( Y
第2字段代表产品类型，57代表DRAM；5D代表DDR SDRAM。
# ]* T! _7 h3 L4 }6 E6 y! @. e
: `1 o8 T+ A" p5 L. K第3字段代表电压，V代表3.3V；U代表2.5V。
1 b0 r3 d3 [( r$ ~; V( r
/ Z; n) Q0 {2 h( v1 x+ o* m+ e% V第4字段代表密度和刷新，4代表4MB(1K刷新)；16代表16M(4K刷新)；64代表64M(8K刷新)；65代表64M(4K刷新)；128代表128M(8K刷新)；129代表128M(4K刷新)；257代表256MB(8K刷新)。
) e+ _& D0 K T- S, O
K$ v# {9 W' M+ O. @
第5字段代表数据带宽，40代表4位；80代表8位；16代表16位；32代表32位。
6 u3 D Y2 I8 M6 j$ t
. C$ X, O5 L. N: Z( W E第6字段代表芯片组成，1代表2BANK；2代表4BANK。
+ `- A) C/ x$ o$ |# t9 h* X
8 j6 ?. Q2 l1 p# z! y" |
第7字段代表电气接口，0代表LVTTL；1代表SSTL；2代表SSTL2。
" m1 D! E/ B( ]
8 v8 P) {) _. \. T* O5 `7 E
第8字段代表芯片修正版本；空白代表第1版，A代表第2版；B代表第3版；C代表第4版；D代表第5版。
& X" ]. J# p2 [. ^2 Z6 ~: O6 o
5 u" ^. u; L# s- |
第9字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
9 x' r( I \7 e2 b
1 K+ G% Y1 Z" l" P: x! [2 Q第10字段代表封装方式；JC代表400mil SOJ；TC代表400mil TSOP Ⅱ、TD代表13mm TSOP-II、TG代表16mm TSOP-Ⅱ；TQ代表100Pin TQFPI。
7 e: `% I+ ], d* k% T! W
0 O. x0 C- I8 W8 ?
第11字段代表内存的速度，5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz)；6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8代表8ns(125MHz)；10P代表10ns(100MHz@CL=2或3)；10S代表10ns(100MHz@CL=3)；10代表10ns(100MHz)；12代表12ns(83MHz)；15代表15ns(66MHz)。
) Y, x3 c# R2 }, |" C
7 H" Z9 A/ w: z4 P3 @ H; M) i6 t5 ]( O( s
+ z8 @ k+ }- e2 d; Z. s% f' Q4 ]2.SDRAM内存(新版本)
$ x& S f: G/ L( [0 D6 V; m
% J/ C* d& e% g1 h! B* P第1字段由HY组成，代表现代产品。
+ W' l! D. i0 m6 R$ i
2 k" B* A: [6 ?- m+ _6 H: n
第2字段代表产品类型，57代表SDRAM。
+ F3 p; b# v: g; d' i# ^3 Y' D
2 ^5 Y4 u ?6 O4 W2 k) J% X: n6 z% J
第3字段代表电压，V代表3.3V。
7 v! v1 w. ]: N6 I
# M5 V9 Z4 E W( w1 j: q( A
第4字段代表密度和刷新，64代表64M(4K刷新)；65代表64M(8K刷新)；28代表128M(4K刷新)；56代表256M(8K刷新)。
; J6 k- k k& S: ~$ z
6 O4 j2 y. t6 X1 }" y$ s3 s$ L第5字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。
m0 ?$ D, o6 { x. y
6 s( h2 d( S& w/ u6 t! a$ z: _! n8 z' j
第6字段代表芯片组成，1代表2BANK；2代表4BANK。
9 Y; H& ^$ ^2 H
. V3 j5 u2 D( ^/ X, N, X第7字段代表意义不详，一般为0。
) ?) F2 ]* I1 J6 S
# Y& m0 t5 i& X- h: s8 Y第8字段代表电气接口，0代表LVTTL；1代表SSTL_3。
$ b; n. x5 D) K. d3 r8 ]* X4 D0 S4 C" `+ W; l: G$ [
第9字段代表芯片修正版本；空白或H代表第1版，A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。
* \( e8 K2 v) a* T3 a% c- c+ k7 A% m
u, Y" J4 G/ O1 u5 m/ ?$ }& w第10字段代表封装方式；T代表TSOP；Q代表TQFP；I代表BLP；L代表CSP(LF-CSP)。
; P% Q. i) J. ]- |
: t! p1 o6 p2 T8 i4 J第11字段代表内存的速度，5代表5ns(200MHz)；55代表5.5ns(183MHz)；6代表6ns(166MHz)；7代表7ns(143MHz)；K代表7.5ns(PC133@CL=2)；H代表7.5ns(PC133 @CL=3)；8代表8ns(125MHz)；P代表10ns(PC100@CL=2)；S代表10ns(PC100@CL=3)；10代表10ns(100MHz)。
2 z& C. G+ F3 v: Z+ u$ O7 C9 g9 f8 z" k4 o2 ]0 L
: p* h6 c9 M1 P. O7 o
+ H2 g) \$ z2 J8 X8 Y# x+ w4 k( p- F) E, L5 D
1 m8 c$ Z2 R# J! S+ H; G: Y% O/ _
内存颗粒编号的识别之-金邦(GeIL)SDRAM内存
9 n1 l) t: V3 N--------------------------------------------------------------------------------
8 u, {" } _3 Q: r2 B
7 E7 s# M9 {7 f! \' s2 \: k: Z
3 j( P7 z# y2 f* O- h4 A6 Q4 v9 V( ^$ F
" r% S: P" O* A- t9 [; }
第1字段代表产品系列，GL2000代表千禧条，BLP代表金条。
0 `* s+ q" F) T% r& V
! B; `) _7 N7 {7 i. P+ q: B第2字段由GP组成，代表金邦产品。
3 `9 \+ b9 i \; z! v9 s
- |# m o- |; ]4 c) C; J0 p" p g+ u
第3字段代表产品类型，6代表SDRAM。
" _8 ^: k6 W" [+ n" K/ f) S0 z7 B+ W. L& H2 s; m! Z$ A" |
第4字段代表制造工艺，C代表5V Vcc CMOS；LC代表0.2微米3.3V Vdd CMOS；V代表2.5V Vdd CMOS。
' g2 S& L1 V9 N/ _
7 N" N' ~& b0 G, [, `7 h1 N' E( a8 B第5字段代表容量，它与第7字段相乘就是总容量。
! A- M! {; ?/ D8 G i
% b) x( p; e5 @0 j5 a% `7 Z7 m- S第6字段代表容量单位，空白代表Bits；K代表KB，M代表MB，G代表GB。
# }& d0 x/ W* u3 i8 N- Q& T2 p9 k: b/ |. Z+ O/ y) p/ }
第7字段代表颗粒数量。
# k& g: e8 {. K: V
9 {7 f \, i$ _; H$ Y5 n第8字段代表芯片修正版本。
/ ]2 |' y( d% b2 ]& O7 J: v
/ N0 z0 L. \# n& s5 o; E7 \
第9字段代表封装方式，DJ代表SOJ；DW代表宽型SOJ；F代表54针4行FBGA；FB代表60针8*16 FBGA；FC代表60针11*13 FBGA；FP代表反转芯片封装；FQ代表反转芯片密封；F1代表62针2行FBGA；F2代表84针2行FBGA；LF代表90针FBGA；LG代表TQFP；R1代表62针2行微型FBGA；R2代表84针2行微型FBGA；TG代表TSOP Ⅱ，U代表μ BGA。
1 ~& n q% L% A, k% U/ h& u% a$ q3 {* i* T& z% v
第10字段代表内存的速度，7代表7ns(143MHz)。
: o* j- m6 @) u6 t- q
' a$ I% O9 z8 s, \; J* W' J; R% Q第11字段由AMIR组成，代表内部标识号。
8 f. O) V: t+ h F" m8 O1 u3 v) F
* v: [' l3 D! O+ w4 k- ^; V第12字段由四位数字组成，代表生产日期，前两个数字表示年份，如00表示2000年；后两个数字表示周数，如25表示第25周。
' ` p7 t3 N% ^& D7 i/ {9 l; `9 n0 S! @4 |! u% f, m. X) f7 }
6 j, q8 K T* h% {( j3 W9 t
内存颗粒编号的识别之-美光(Micron)
2 j/ {+ }6 X- s, _- J! r--------------------------------------------------------------------------------
6 r- W9 V- W9 ?# ^
" I3 v# [+ `5 w: V) {* M4 H8 }, r: S* \9 Q# l/ k
1 s3 G: X+ } j6 b# _第1字段由MT组成，代表美光产品。
- x. F. b* H, e$ m6 j- H2 |
* D; Z. k! C* D0 @4 N h
第2字段代表内存类型，48代表SDRAM。
. V9 d# t8 z/ ~8 ~8 Y# e0 x( z, ?. V% A5 _" I8 T% {4 y6 u N
第3字段代表内存种类，LC代表普通SDRAM。
' B: B$ l, h1 F f" B# a6 [! I. \" ]7 F# N
第4字段代表密度，此数与M后位数相乘即为容量。
! o2 B' ?" a. r! v7 x
: {( r) X1 |8 Z第5字段代表意义不详，一般为M。
3 h6 l: v* i1 U7 D; c, [& i" l+ s
3 U5 u K5 L# t8 Q第6字段代表数据带宽，4代表4位；8代表8位；16代表16位；32代表32位。
: X- ^" U5 x1 J% T ^' f
+ l0 M$ W$ Q8 z& j" Z! ?) h# n2 e6 q
第7字段代表类型，AX代表write Recovery(TWR)；A2代表2clk(TWR)。
8 y1 A3 M& S/ F/ c9 g: U7 Y. U$ v
+ J/ D: g# y0 f第8字段代表封装方式，TG代表TSOP II(RPPmil)。
. s$ r3 m4 `5 a) w& |3 c0 w" `
2 |" o& r) V5 w: Z0 |3 y+ S6 Z第9字段代表内存的速度，7代表7ns(143MHz)；75代表7.5ns(133MHz)；8A代表8ns(125MHz，读取周期为333)；8B代表8ns(125MHz，读取周期为323)；8C代表8ns(125MHz，读取周期为322)；8 D代表8ns(125MHz，读取周期为222)；8E代表8ns(125MHz，读取周期为222)；10代表10ns(100MHz@CL=3)。
( n" d$ R3 z# A1 Q' {) V S) I* [: D# z# O, U" H4 Z2 ]
第10字段代表功耗，空白代表普通；L代表低功耗。
, d: F* i! t7 \. S# M- ~) z( b/ \5 g; U {. Y& l
: ~0 H. D- c3 D, c- t/ J
举例说明
G 颗粒机器原配条(标识PC 66 64M),超频后表现良好,解析如下:
: u" o, x' T w& c- D5 j
4 B1 V0 X, F9 t7 ]( a
第1字段 GM 代表LGs
( @) d2 ?+ n# s# q q0 \" v; T7 c' O3 A
第2字段 72 代表SDRAM。
1 e% o# A: U$ J# F' R& K. w5 l* e; v+ n: Y, G: f+ r, `) G! x
第3字段 V 代表3V。
+ W: T' T- N& M0 U* W( g- P
" _, j- N* V5 d7 }) v* [! f. `第4字段 66 代表64M(4K刷新)。
. W, k3 t9 x/ e- v% P
( i0 m5 u& s; Q j& h! v第5字段 8 代表8位；
6 Z; J! A1 O( W3 [$ x* l6 V
/ x% d/ J; g7 X- A第6字段 4 代表4BANK；
2 L' e$ T7 r8 p/ F% g F
) o) i% l# Y/ k# x第7字段 1 代表LVTTL
( B( s l: Q: W
8 M7 s' q) v* f2 K4 ]
第8字段 C 代表第3版
' G% p2 q t# l. r( }2 N* s
7 y3 U( M5 o2 M. W$ e9 r* F
第9字段 空白 代表普通功耗
1 H8 `! h: Y7 Z3 }# }
( l0 g* y: v& X6 ?第10字段 T 代表TSOP；
& h6 K% Q5 Y9 m# T- g
! ?- U0 a$ s$ j; A& J" y
第11字段 7J 代表10ns(PC100@322)；
4 J+ ^* x: D( I8 a- y& C' ]2 A' H9 T1 ?
不难判断超频运行是合理的,但热量加大(非低功耗),实际超频后温度也是明显比标识PC 100 128MIBM 内存要高,但还是安全的.
# F7 |4 ^9 y% [# @7 W
P' z) J0 p. `* f5 `# q* F( l" P5 I
! t# L- C6 i1 V D% F4 \ p
h$ J5 s" S1 f4 u; M
1 e& }4 N1 g3 M" k6 ?0 V
- n+ j2 |9 ^* e7 k4 y# I0 L& n4 p( e
' F' }8 Z, f; q; M0 _* a
